طراحی و ساخت نمونه ای جدید از دیود سالیتانی با ترمینالهای بایاسینگ بهینه
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق
- نویسنده امیر انصاری
- استاد راهنما فرشید رییسی
- سال انتشار 1392
چکیده
دیود سالیتانی، یک قطعه ی الکترونیک ابررسانایی است که در حال حاضر 9 پایانه دارد. در این پروژه ساختارهایی برای جای گزینی دیود سالیتانی معمولی ارائه شده است که ضمن حفظ ویژگی های اصلی آن، پایانه های کمتر و طراحی بهینه تری داشته باشد. با توجه به میدان هایی که بایاس می تواند بسازد، پنج ساختار پیشنهاد شد. برای یافتن تغییرات فاز پیوند بلند جوزفسون، به عنوان ساختمان اصلی دیود سالیتانی، بررسی معادله ی ساین-گوردن در این پروژه انجام گرفته است. از آنجا که حل تحلیلی کاملی برای این معادله وجود ندارد، شبیه سازی آن به کمک حل عددی انجام شده است. بررسی تغییرات فاز، میدان مغناطیسی و رسم منحنی مشخصه ی i-v در ناحیه ی کاری مستقیم و معکوس برای ساختارهای پیشنهادی، با این شبیه ساز انجام و با نمونه ی معمولی دیود مقایسه شده است. پس از تحلیل ها و شبیه سازی های مختلف، مشخص شد، ساختار پیشنهادی که فقط دو پایانه ی جریان بایاس دارد، به عنوان دیود سالیتانی تنها می تواند در یک ناحیه ی کاری عمل کند. اما سه ساختار دیگر که علاوه بر داشتن پایانه های بایاس، جریان کنترل نیز به آن اعمال می شود، در هر دو ناحیه ی کاری قابل استفاده است. از میان ساختارهای ارائه شده، چهارمین ساختار که کنترل آن به کناره های یک الکترود و نیز به محل پایانه ی بایاس همان الکترود اعمال می شود و قابلیت تغییر ناحیه ی گذار دارد، به لحاظ شباهت رفتاری با دیود معمولی و داشتن درجه ی آزادی مناسب در زمینه ی ابعاد، برای ساخت با تکنولوژی نایوبیوم-سرب انتخاب شد.
منابع مشابه
طراحی، تحلیل، شبیه سازی و ساخت دیود سالیتانی به عنوان مقایسه گر
در این پژوهش یک مقایسه¬گر جریان مبتنی بر دیود سالیتانی(یک قطعه الکترونیکی ابررسانایی) پیشنهادشده است. مشخصه غیرخطی دیود سالیتانی و وجود یک آستانه¬ی جریان شکست در بایاس معکوس آن، دست¬مایه عمل مقایسه قرار گرفته است. برآورد سرعت بالای مقایسه¬¬کنندگی با شبیه سازی عددیانجام شد؛ در این شبیه سازی طرحی با طولپیوند µm200، عرضپیوند µm 10، چگالی جریان بحرانی جوزفسونی ka/cm2 20 و بتای استوارت مک¬کامبر 50،...
طراحی و ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون و بررسی نقش نانولایه گرافین در پاسخدهی نوری آن
در این پژوهش پاسخدهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایهای از گرافین بر روی زیرلایهای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایهنشانیهای کروم- طلا (ضخامت لایههای کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...
متن کاملThe effect of cyclosporine on asymmetric antibodies and serum transforming growth factor beta1 in abortion-prone model of mice CBA/J x DBA/2
كچ ي هد فده و هقباس : ي ک ي طقس زورب للع زا اه ي ،ررکم ا لماوع تلاخد ي ژولونوم ي ک ا رد ي ن قم طققس عون ي وراد دقشاب ي س ي روپسولک ي ،ن ح لدم رد طقس شهاک بجوم ي ناو ي CBA/j×DBA/2 م ي تنآ ددرگ ي داب ي اه ي ان و راققتم TGF-β لماوع زا عت مهم يي ن گلماح تشونرس هدننک ي سررب روظنم هب رضاح هعلاطم تسا ي ات ث ي ر اس ي روپسولک ي ن م رب ي از ا ي ن تنآ عون ي داب ي س و اه ي اکوت ي ن TGF...
متن کاملطراحی و ساختِ مدارِ بایاس و قرائت دیود سالیتانی به عنوان آشکارساز امواج گیگا هرتزی
در این پروژه مداری برای تولید جریان بایاس و قرائت خروجی دیود سالیتانی (jfd) ارائه شده است.دیود مذکور یک آشکارساز امواج گیگا هرتزی با حساسیت بسیار بالا است. این قطعه الکترونیکی در دمای فوق سرد کار می کند و باید مانند سایر قطعات الکترونیکی، در نقطه کارِ مناسب بایاس شود. امواج گیگا هرتزی مقدار جریان شکست دیود (ibr) را تغییر می دهد؛ بنابراین با اندازه گیری مقدار این جریان می توان تشعشعات گیگا هرتزی...
15 صفحه اولThe Study of Stressful Factors in Clinical Education for Nursing Students Studying in Nursing and Midwifery College in Khorramabad
کچ هدي پ شي مز هني فده و : شزومآ لاب يني شخب ساسا ي شزومآ مهم و راتسرپ ي تسا . و هنوگ ره دوج لکشم ي شزومآ رد لاب يني ، آراک يي هدزاب و ا ني شزومآ زا شخب راچد ار لکشم م ي دنک . فده اب رضاح شهوژپ سررب ي لماوع سرتسا از ي شزومآ لاب يني رد وجشناد ناي راتسرپ ي هدکشناد راتسرپ ي و يامام ي ماـجنا داـبآ مرـخ تسا هتفرگ . شور و داوم راک : رضاح هعلاطم کي هعلاطم صوت يفي عطقم ي تسا . د...
متن کاملساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au
In this research, Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure was fabricated using spin coating of composite polymer and physical vapor deposition of metals. For this purpose, a thin layer of gold was coated on glass and then composite of polyaniline/multi-walled carbon nanotube was synthesized and spin-coated on gold layer. Finally, a thin layer of aluminum was coated on polymer layer. The ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023